印度知名研究機構向牛津儀器公司訂購多臺設備

印度科學院（IISc）電子及通訊工程系Navakanta Bhat教授評價："我們之所以選擇牛津儀器的設備，是因其設備工藝具有良好的均勻性，且該公司為客戶提供一流的支持。牛津儀器員工卓越的技術能力、為客戶服務的工作熱忱、以及視客戶為合作伙伴的服務態度，令我們印象深刻。

我們新購的設備在我們國家是僅有的，將安裝在納米科學與工程研究中心 （CeNSE）新建大樓 （90,000平方英尺）中面積14,000平方英尺的無塵室。這一先進的無塵室將安裝一流的設備，以滿足研究人員的各種需求，而牛津儀器的設備正好為我們提供了所需的廣泛的工藝流程和尖端的技術，使印度科學院（IISc）能夠在多領域進行技術前沿研究，包括納米電子學、微機電系統等，這將有助于我們達成開發可商業化新技術的目標。

牛津儀器等離子技術部是刻蝕、沉積和生長設備的領導者，近期獲得位于印度班加羅爾的印度科學院（IISc）納米電子研究中心（CEN）采購三臺等離子刻蝕與沉積設備的訂單。這三臺System100等離子刻蝕與沉積設備將安裝在該納米電子研究中心（CEN）先進的納米電子設備無塵室內，其中兩臺是PlasmaPro^TM System 100系列電感耦合等離子體刻蝕 （ ICP）設備，另一臺是PlasmaPro^TM System 100系列等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備。

System100是靈活、功能強大的等離子刻蝕和沉積工藝設備，采用真空進樣室進樣，可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。PlasmaPro System100等離子刻蝕和沉積設備具有比較大的工藝靈活性，適用于化合物半導體、光電子學、光子學、微機電系統和微流體技術， 該設備可以有很多配置，包括印度科學院所訂購的電感耦合等離子體刻蝕（ICP）設備和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備。

上述兩臺感應耦合等離子體-反應離子刻蝕（ICP-RIE）設備、以及一臺等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備是專為印度科學院（IISc）納米電子研究中心（CEN）所要求的多種工藝而配置的，可應用于多晶硅、氧化硅、氮化硅及多種金屬等化學材料的刻蝕工藝。除硅刻蝕工藝外，這些設備亦配置了刻蝕速率高、高頻大功率晶體管所需的砷化鎵和氮化鎵刻蝕工藝。等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備可增強氮化物沉積，可運用于微機電傳感器、或作為慣性傳感器結構材料運用于低溫多晶硅薄膜。

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